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阻变式存储器ReRAM测试平台---RRAM测试仪

ReRAM为何物

虽然ReRAM的名字中带RAM,但其实是像NAND闪存那样用作数据存储的ROM,只不过它的性能更强,据说,其密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍。ReRAM单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。
ReRAM基于忆阻器原理,将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说,关闭电源后存储器仍能记住数据。如果ReRAM有足够大的空间,一台配备ReRAM的PC将不需要载入时间。

ReRAM的优势
与NAND闪存相比,ReRAM具备诸多优点,具体如下:
速度:ReRAM写速度更快,以纳秒为单位而不是毫秒,这使它更适应于高性能应用。
功率:研究人员已经证明,微安培写入功率并期望很快将进一步降低到纳安范围,这使得ReRAM比NAND闪存能效更高。
耐用性:最常见的MLC闪存只能处理10000次写操作,而ReRAM却可以处理数百万个。


随着ReRAM的研究和产业化再次迈出重大台阶,大家对如何全方位表征ReRAM的性能产生了浓厚的兴趣。

作为全球顶级的ReRAM测试设备制造商,德国aixACCT Systems GmbH隆重推出了用于阻变式存储器测试仪RRAM。

使用模块化设计的铁电分析仪TF Analyzer 3000 / TF Analyzer 2000E / aixPES的现有用户都可以通过升级相关配件来升级阻变性能测试功能,无需另购主机。

更多详细信息,敬请联系我们。

 

 

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