铁电压电材料分析设备
铁电压电分析仪 TF Analyzer 1000
铁电压电分析仪 TF Analyzer 2000E
铁电压电分析仪 TF Analyzer 3000
压电材料综合表征系统 aixPES
多铁材料磁电磁阻测试仪aixPES-MR
高温块体压电分析仪aixPES-600/800
低温块体压电分析仪aixPES-Cryo
电卡效应测试仪 ECM
热激发极化电流测试仪 TSDC
超薄薄膜压电双光束激光干涉仪 aixDBLI
陶瓷多层执行器测试仪 aixCMA
机电薄膜e31测试仪 aix4PB
阻变式存储器测试仪 RRAM
铁电迟豫电流测试仪 aixPES-RX
铁电自放电测试仪 aixPES-DR
铁电随机存储器测试仪 FeRAM
热释电性能测试仪 aixPYM
热电性能测试仪 COMTESSE

汽车测试设备
汽车六轴力和扭矩传感系统 aixFORCE
汽车高速温度压力传感系统 aixHSTPM
汽车齿轮NVH传感器 NVH Sensor
汽车遥测系统 Telemetry System

电子束能量分布测试设备
电子束能量分布测试仪diaBEAM

储氢材料测试设备
压力组分温度PCT测试仪

微纳米加工设备
电子束光刻 EBL
超高分辨率电子束光刻 EBL
原子层沉积系统 ALD

微波/射频等离子体相关设备
微波发生器2.45GHz系列
微波发生器915MHz系列
等离子体源 Plasma Sources
微波化学系列Microwave Chemistry
射频RF发生器系列
用于等离子体的直流电源DC系列
微波等离子体专用水冷机系列
微波等离子体增强化学气相沉积 MPECVD

 

电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)
电子束直写系统 、 电子束曝光系统
CABL-9000C series

纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 

型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小线宽可达8nm，最小束斑直径2nm，套刻精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

技术参数：
1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 
2.加速电压：5-50kV 
3.电子束直径：小于2nm 
4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 
5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 
7.描电镜分辨率：小于2nm

主要特点：
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 
2.出色的电子束偏转控制技术 
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。